Навигација

13Д061МХМН - Моделовање хетероструктурних микроелектронских направа

Спецификација предмета
НазивМоделовање хетероструктурних микроелектронских направа
Акроним13Д061МХМН
Студијски програмЕлектротехника и рачунарство
Модулмодул Наноелектроника и фотоника
Тип студијадокторске академске студије
Наставник (предавач)
Наставник/сарадник (вежбе)
    Наставник/сарадник (ДОН)
      Број ЕСПБ9.0Статус предметаизборни
      Условљност другим предметиманема
      Циљеви изучавања предметаУчи студенте како се реалне полупроводничке направе представљају математичко-физичким моделима. Кроз анализу и симулацију модела упознају се како релевантни параметри утичу на функционисање направе и како се долази до оптималних конструкција (решења) постојећих, као и потенцијално нових хетероструктурних направа.
      Исходи учења (стечена знања)Учи студенте како се реалне полупроводничке направе представљају математичко-физичким моделима. Кроз анализу и симулацију модела упознају се како релевантни параметри утичу на функционисање направе и како се долази до оптималних конструкција (решења) постојећих, као и потенцијално нових хетероструктурних направа.
      Садржај предмета
      Садржај теоријске наставеПојам модела. Врсте модела. Улога, значај и историјат моделовања микроелектронских направа. Електронски транспортни процеси у хетероструктурама. Модели хетероструктурних униполарних транзистора. HEMT-ови на бази AlGaAs/GaAs и HEMT-ови а бази AlGaN/GaN. Хетероструктурни SiGe транзистори. Моделовање хетероструктурних биполарних транзистора (HBT). HBT на бази AlGaAs/GaAs и на бази InGaAs/GaAs. Модели HBT-а са термалним ефектима. Модели транзистора са врућим електронима. Модели полупроводничких оптоелектронских пријемника и предајника.
      Садржај практичне наставенема
      Литература
      1. Р.Рамовић, "Анализа и моделовање полупроводичких направа", (скрипта), ауторско издање, Београд 1993 год.
      2. S.Selberherr, "Analysis and simulation of semiconductor Devices", Springer.Verlag, Wien 1985 god.
      3. Р.Рамовић, Р.Шашић, "Анализа и моделовање униполарних транзистора малих димензија", Динех, Београд 1999 год.
      4. D.Tsaukalos, C.Tsamis (eds), "Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)", Springer, Wien 2001 god.
      Број часова активне наставе недељно током семестра/триместра/године
      ПредавањаВежбеДОНСтудијски и истраживачки радОстали часови
      6
      Методе извођења наставепредавања и аудиторне вежбе
      Оцена знања (максимални број поена 100)
      Предиспитне обавезеПоенаЗавршни испитПоена
      Активности у току предавања0Писмени испит70
      Практична настава0Усмени испит0
      Пројекти
      Колоквијуми30
      Семинари0