Почетна

Информације о предмету

Спецификација предмета
Назив предмета Моделовање хетероструктурних микроелектронских направа
Акроним 13Д061МХМН
Студијски програм Електротехника и рачунарство
Модул модул Наноелектроника и фотоника
Тип студија докторске академске студије
Наставник (за предавања) др Петар Лукић
Наставник/сарадник (за вежбе)
Наставник/сарадник (за ДОН)
Број ЕСПБ 9 Статус предмета изборни
Услов нема
Циљ предмета Учи студенте како се реалне полупроводничке направе представљају математичко-физичким моделима. Кроз анализу и симулацију модела упознају се како релевантни параметри утичу на функционисање направе и како се долази до оптималних конструкција (решења) постојећих, као и потенцијално нових хетероструктурних направа.
Исход предмета Учи студенте како се реалне полупроводничке направе представљају математичко-физичким моделима. Кроз анализу и симулацију модела упознају се како релевантни параметри утичу на функционисање направе и како се долази до оптималних конструкција (решења) постојећих, као и потенцијално нових хетероструктурних направа.
Садржај предмета
Садржај теоријске наставе Појам модела. Врсте модела. Улога, значај и историјат моделовања микроелектронских направа. Електронски транспортни процеси у хетероструктурама. Модели хетероструктурних униполарних транзистора. HEMT-ови на бази AlGaAs/GaAs и HEMT-ови а бази AlGaN/GaN. Хетероструктурни SiGe транзистори. Моделовање хетероструктурних биполарних транзистора (HBT). HBT на бази AlGaAs/GaAs и на бази InGaAs/GaAs. Модели HBT-а са термалним ефектима. Модели транзистора са врућим електронима. Модели полупроводничких оптоелектронских пријемника и предајника.
Садржај практичне наставе нема
Литература
1Р.Рамовић, "Анализа и моделовање полупроводичких направа", (скрипта), ауторско издање, Београд 1993 год., R.Ramovic, "Analysis and modeling of semiconductor devices", copyright edition, Belgrade, 1993.
2S.Selberherr, "Analysis and simulation of semiconductor Devices", Springer.Verlag, Wien 1985 god., S.Selberherr, "Analysis and simulation of semiconductor Devices", Springer.Verlag, Wien 1985 god.
3Р.Рамовић, Р.Шашић, "Анализа и моделовање униполарних транзистора малих димензија", Динех, Београд 1999 год., R.Ramovic, R.Sasic, "Analysis and modeling of unipolar small transistors", Belgrade, 1999
4D.Tsaukalos, C.Tsamis (eds), "Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)", Springer, Wien 2001 god., D.Tsaukalos, C.Tsamis (eds), "Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)", Springer, Wien 2001 god.
Број часова активне наставе недељно током семестра/триместра/године
Предавања Вежбе ДОН Студијски и истраживачки рад Остали часови
6
Методе извођења наставе предавања и аудиторне вежбе
Оцена знања (максимални број поена 100)
Предиспитне обавезе Поена Завршни испит Поена
Активности у току предавања 0 Писмени испит 70
Практична настава 0 Усмени испит 0
Пројекти
Колоквијуми 30
Семинари 0